存儲芯片製造商閃迪今日盤中大漲5.09%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，閃迪在技術研發與資本市場層面同時獲得重大利好。一方面，公司正加速推進高帶寬閃存（HBF）的商業化進程，計劃於2026年下半年建成試產線，並於2027年實現量產。HBF技術被視為AI推理時代的關鍵存儲層級，通過在NAND閃存中引入硅通孔（TSV）堆疊封裝，可在維持高帶寬的同時提供約10倍於HBM的存儲容量，戰略價值顯著。

另一方面，納斯達克公司宣佈，閃迪將於4月20日開盤前取代Atlassian公司，正式加入納斯達克100指數。此次納入預計將為公司帶來更高的市場知名度和流動性，並可能引發追蹤該指數的基金進行配置性買入。與此同時，包括傑富瑞、花旗集團、Cantor Fitzgerald在內的多家華爾街機構近期紛紛上調閃迪的目標價，反映出市場對其在AI驅動存儲需求增長背景下的長期前景持樂觀態度。