据韩国媒体消息，业内消息人士证实，三星（Samsung Electronics ）已与 Nvidia 合作，加速下一代 NAND 闪存芯片的开发。

三星与英伟达联合开发了一套人工智能系统，可大幅提升基于**铁电材料（ferroelectric materials）**的超低功耗 NAND 技术的研发速度。这项技术被认为将决定未来 AI 芯片的性能。该战略反映出两家公司在全球 AI 半导体热潮中，为争夺下一代芯片技术领导地位而展开的合作与布局。

据业内人士 12 日透露，由三星电子半导体研究所、英伟达以及 Georgia Institute of Technology 组成的联合研究团队，开发了一种名为 “Physics-Informed Neural Operator（PINO）” 的模型。该模型能够对铁电 NAND 器件性能进行分析，其速度比传统方法快超过 1 万倍。相关研究成果已经在全球发布。

铁电材料是一类新型材料，即使在没有持续电力输入的情况下，也能保持极化状态（正负电荷分离）。由于其能够以极低功耗高效存储信息，因此将其应用于 NAND 存储器器件的研究近年来十分活跃，而三星电子一直处于这一领域的领先位置。铁电 NAND指的是使用铁电材料而非传统硅材料制造的 NAND 存储器。

要实现铁电 NAND 的商业化，需要通过计算机仿真精确分析并改进材料性能，例如阈值电压（threshold voltage）和数据保持能力（data retention）等关键指标。半导体行业广泛使用的分析工具 TCAD（Technology Computer-Aided Design） 在每次计算时通常需要约 60 小时，严重限制了研究速度。而三星与英伟达的研究团队通过基于物理定律训练的 AI，将单次运算时间缩短至不到 10 秒。

基于这项研究成果，三星电子计划与其最大内存客户英伟达在铁电 NAND 的开发和商业化方面展开进一步合作，这也引发了业界对双方未来动作的关注。去年年底，三星电子曾在国际期刊 Nature 上发表研究，宣布其铁电 NAND 技术相较传统 NAND 可将功耗降低 96%，被视为存储行业的一项重大创新。

根据 Korean Intellectual Property Office 的数据，在全球铁电相关专利份额排名前五的国家中，韩国以 43.1% 位居第一，其中三星电子占 27.8% 的份额，是推动韩国领先地位的主要力量。