1月21日消息，据韩国媒体MoneyToday报导，DRAM大厂三星电子之前宣称其第六代10nm级1c DRAM制程2024年底开发完并量产，但良率没有提升，导致开发延后6个月到2025年6月才能完成，这也会使预定下半年量产的第六代高频宽内存（HBM4）一并延后。报导引用市场人士说法，三星电子第六代10nm级1c DRAM制程遇到困难。尽管在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片，但因为...
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