快科技2月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计，以提升良品率，确保其HBM4内存的量产。三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题，2024年末的试产并未达到预期效果，大规模生产准备阶段的良品率通常在60%至70%左右。为了提升良品率，三星决定调整设计，核心电路线宽保持不变，而外围电路线宽的要求则被放松，这一调整预计将显著提升良品率，确保...
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