金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN119855208A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本申请实施例公开一种碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件，属于半导体技术领域。碳化硅功率器件元胞结构包括基底；栅极结构，栅极结构包括至少两个第一栅极结构，至少两个第一...
网页链接金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN119855208A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本申请实施例公开一种碳化硅功率器件元胞结构及其制备方法、半导体器件，属于半导体技术领域。碳化硅功率器件元胞结构包括基底；栅极结构，栅极结构包括至少两个第一栅极结构，至少两个第一...
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