近日, 英诺赛科在慕尼黑上海电子展(Electronica China)和武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会(CSE)上展出的氮化镓产品及解决方案,引发行业高度关注。其中在数据中心领域,英诺赛科重点展示了双面散热 En-FCLGA 封装 100V GaN、全球首款100V 双向器件(VGaN)、大功率合封氮化镓 ISG6121TD、2kW四相交错Buck、4.2kW服务器电源方案以及在数据中心...
网页链接免责声明:投资有风险,本文并非投资建议,以上内容不应被视为任何金融产品的购买或出售要约、建议或邀请,作者或其他用户的任何相关讨论、评论或帖子也不应被视为此类内容。本文仅供一般参考,不考虑您的个人投资目标、财务状况或需求。TTM对信息的准确性和完整性不承担任何责任或保证,投资者应自行研究并在投资前寻求专业建议。