金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺”的专利，公开号CN119907274A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极以及源极，所述半导体外延层包括有N衬底层、N扩散层、P阱层、N阱层以及P‑层，所述栅极的截面轮廓呈“T”字形状，并且P阱层和N阱层的截面宽度不超过栅极的截面宽度。本发明通过引入多晶硅与源极直接接触，这样可放大漏极与源极的电场效应，而漏极的电荷主要从金属沉积层流入N扩散层内，这样在栅极电场和原极电场的同时作用下，电荷主要集中向电荷沟道和电荷沟道流动，这样能够减少电荷向相邻的MOS元胞扩散。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目14次，专利信息136条，此外企业还拥有行政许可2个。