金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，LX 半导体科技有限公司申请一项名为“功率半导体器件”的专利，公开号 CN119907281A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，提供了一种功率半导体器件、包括该功率半导体器件的功率半导体模块、功率转换器以及制造方法。该功率半导体器件可以包括基板、设置在基板上的第一导电型外延层、以及阶梯状阱结构，其中，该阶梯状阱结构的下部区域的宽度比上部区域窄，但比绝缘区或沟槽区宽。
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