4月29日，中国科学院上海光机所林楠团队在极紫外光刻（EUV）光源领域取得重大突破，成功开发出基于固体激光器的激光等离子体极紫外（LPP-EUV）光源，能量转换效率达3.42%，超越国际顶尖水平，打破西方技术垄断，为中国半导体产业叩开7纳米以下先进制程大门。EUV技术：高端芯片制造的“金钥匙”芯片是现代科技核心，EUV光刻技术是制造高端芯片的关键。其原理是利用13.5nm极紫外光，通过光刻系统将掩...
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