作者 |蓝血创作组

来源 | 蓝血研究（lanxueyanjiu)

近日，雷军宣布小米自研设计手机SoC芯片“玄戒O1”即将发布的消息，引发大量关注。据观察者网报道，玄戒O1采用的是3nm制程，远超市场预期。

众多网友好奇：14nm以下制程的芯片让台积电代工需要获得美国BIS许可，小米是搞定了BIS许可，还是国内搞定了3nm制程？以下从多个角度综合分析可能的解决方案：

1. 美国BIS许可的可能性分析

美国商务部工业与安全局（BIS）对先进制程代工的限制主要针对AI芯片和数据中心产品，而消费级手机SoC若满足以下条件可豁免：

晶体管数量限制：根据2025年1月BIS最新规则，封装内晶体管数量低于300亿个（2029年后放宽至400亿）且不含高带宽存储器（HBM）的芯片不受限。玄戒O1的晶体管数量为190亿个，远低于阈值，理论上无需BIS许可。

技术分类：BIS限制重点在“16/14nm以下制程用于AI或超算领域”，而手机SoC属于消费电子，未被明确列入管制清单。

结论：小米可能无需专门申请BIS许可，因玄戒O1符合豁免条件。

2. 台积电代工的可行性

台积电是全球少数具备3nm量产能力的代工厂，但其技术出口受多重限制：

台湾地区“N-1”政策：2025年底生效的新规要求台积电海外工厂技术落后岛内一代（如岛内量产2nm时，海外仅能用3nm）。但玄戒O1采用台积电第二代3nm工艺（N3P或N3E），若流片时间早于政策生效（2024年已完成流片），可能规避限制。

地缘政治风险：台积电美国工厂主要服务苹果、英伟达等客户，且3nm产能优先满足大客户需求。小米若通过大陆或台湾本地订单获取产能，可能减少政治干预风险。

结论：台积电代工仍是小米最可能的选择，且政策窗口期和消费芯片属性降低了合规难度。

3. 国产3nm制程的可能性

目前中国大陆的半导体制造能力尚未突破3nm：

中芯国际技术现状：其最先进制程为7nm（N+2工艺），3nm研发仍处于早期阶段。小米流片成功的3nm芯片未披露代工厂，但业内普遍认为中芯国际暂无量产能力。

供应链协同：小米与北方华创、中微公司等国产设备厂商合作，但封装和测试环节的国产化替代（如长电科技）更现实，而非前端制造。

结论：国产3nm制程短期内无法支撑玄戒O1量产，代工仍需依赖台积电。

4. 小米的策略与潜在风险

小米可能采取以下组合策略：

技术合规设计：通过控制晶体管规模、避免HBM集成，确保符合BIS豁免条款。

供应链多元化：与联发科合作外挂基带（降低SoC复杂度），同时通过玄戒子公司申请专利覆盖封装技术（如北京玄戒的芯片封装专利），减少对单一代工厂依赖。

政策窗口利用：在台湾地区“N-1”政策生效前完成流片和初期量产。

风险：若台积电后续被施压限制代工，或国产3nm进展不及预期，可能影响长期产能。

5. 行业意义与未来展望

玄戒O1的突破主要体现在设计端，而非制造端：

设计能力：小米成为全球第四家（仅次于苹果、高通、联发科）掌握3nm手机SoC设计的企业，填补了大陆5nm以内设计经验空白。

产业链拉动：推动国产EDA工具、封装测试技术进步，但制造环节仍需依赖外部。

未来若中芯国际突破3nm，小米或转向“设计+国产制造”模式，但目前仍需依赖台积电。

6．最终结论

小米玄戒O1的3nm制程大概率通过台积电代工实现，且因符合BIS豁免条件（消费芯片、晶体管数量达标）无需额外许可。国产3nm制程尚未成熟，短期内无法替代。