近日，英特尔高层罕见公开表示，未来芯片制造流程将不再以"光罩技术"为中心，而是由晶体管架构的根本性变革主导，这一言论为ASML新一代High-NA EUV光刻机的广泛应用前景蒙上阴影。根据投资研究平台Tegus分享的高层访谈内容，该英特尔主管强调，随着GAAFET（环绕闸极）与CFET（互补式FET）等新一代晶体管架构逐渐成熟，芯片制程的关键控制点将从分辨率极限的光罩工序，转向精密的蚀刻（...
网页链接免责声明：投资有风险，本文并非投资建议，以上内容不应被视为任何金融产品的购买或出售要约、建议或邀请，作者或其他用户的任何相关讨论、评论或帖子也不应被视为此类内容。本文仅供一般参考，不考虑您的个人投资目标、财务状况或需求。TTM对信息的准确性和完整性不承担任何责任或保证，投资者应自行研究并在投资前寻求专业建议。