（原标题：台积电3nm，太猛了）公众号记得加星标??，第一时间看推送不会错过。来源：内容来自工商时报。市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4奈米FinFET水准，研判2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3奈米FinFET。尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员...
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