金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善衬底背封缺陷的方法”的专利，公开号CN120299983A，申请日期为2025年03月。专利摘要显示，本申请提供一种改善衬底背封缺陷的方法，包括：步骤一，提供衬底，在背面沉积第一低温氧化物膜层；步骤二，去除位于衬底边缘区域的第一低温氧化物膜层；步骤三，形成包覆衬底和...
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