在存储领域，键合方式一直是几家厂商关心的核心问题。随着先进封装技术的发展，尤其是3D NAND和高带宽存储器（HBM）不断迈向更高堆叠层数与更紧密互连，对键合技术的精度、密度与良率提出了前所未有的挑战。在这一背景下，“混合键合”（Hybrid Bonding）正迅速从实验室技术走向大规模量产，成为存储芯片制造的新支柱。传统的热压键合或微凸点互连（micro-bump）方案，虽然已经在一定程度上满足...
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