本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合三星计划在其HBM4产品中使用1c DRAM，而SK海力士则计划在同一类别中采用上一代1b DRAM。在全球存储芯片行业最新战场——10纳米级第六代DRAM领域（1c、11-12纳米级）竞赛中，三星电子与SK海力士采取了截然不同的策略。为了从上一代产品的挫折中恢复过来，三星迅速采取行动，投资新的生产设施，而SK海力士则推迟大规模支出，直到在与包括...
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