禾纳半导体申请MOS晶体管封装级测试方法及装置专利,提前识别导致器件失效的隐患

市场资讯
09/05

国家知识产权局信息显示,禾纳半导体(深圳)有限公司申请一项名为“MOS晶体管的封装级测试方法及装置”的专利,公开号CN120595072A,申请日期为2025年06月。

专利摘要显示,本发明涉及MOS晶体管技术领域,公开了一种MOS晶体管的封装级测试方法及装置。该方法:对封装MOS晶体管施加多频率脉冲信号,得到不同频率下的MOS晶体管响应数据;对所述MOS晶体管响应数据进行参数同步采集,得到原始测试数据;对所述原始测试数据执行封装寄生效应补偿处理,得到校正测试数据;对所述校正测试数据进行信号特征分解,得到MOS晶体管的特征参数集;基于所述特征参数集进行封装缺陷分析,得到缺陷识别报告。

天眼查资料显示,禾纳半导体(深圳)有限公司,成立于2018年,位于深圳市,是一家以从事房地产业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,禾纳半导体(深圳)有限公司参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息12条,此外企业还拥有行政许可9个。

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