都在抢HBM 4

半导体行业观察

2025/09/20

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。来源：内容综合自kedglobal。Nvidia 正在敦促其内存供应商超越 JEDEC 官方的 HBM4 基准。据TrendForce报道，该公司已要求其 2026 Vera Rubin 平台实现每针 10Gb/s 的堆栈速度，此举旨在提高每 GPU 带宽，使其超越 AMD 的下一代 MI450 Helios 系统。以每针 8Gb/s（JEDEC 为 ...

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Nvidia 专为处理最苛刻的推理工作负载而构建的计算优化配置，据称在整个 NVL144 机架上可实现每秒 1.7 PB 的传输速率。针脚速度越高，Nvidia 在其他方面达到这些数字所需的裕度就越小。但驱动 10Gb/s HBM4 并非板上钉钉。更快的 I/O 会带来更高的功耗、更严格的时序，以及对基础芯片更大的压力。TrendForce 指出，如果成本或散热问题加剧，Nvidia 可能会按 HBM 层级细分 Rubin SKU。这意味着 Rubin CPX 将使用 10Gb/s 的部件，而标准 Rubin 配置将使用低速堆栈。后备方案已在考虑之中：错开供应商资格认证流程，延长验证窗口，以提升良率。SK海力士仍然是Nvidia的主要HBM供应商，并表示已完成HBM4的开发，并准备进行量产。该公司提到了“超过10Gb/s”的性能，但尚未公布芯片规格、功率目标或工艺细节。相比之下，三星在节点迁移方面更为积极。其 HBM4 基础芯片正在转向 4nm FinFET 工艺，这是一个逻辑级节点，旨在支持更高的时钟速度和更低的开关功耗。即使 SK 海力士的出货量更大，这也可能使三星在高端市场占据优势。美光已确认 HBM4 样品，其接口为 2,048 位，带宽超过 2 TB/s，但尚未透露是否支持 10Gb/s。AMD 的 MI450 仍处于规划阶段，但其内存规格已为人所知。预计 Helios 机架每 GPU 最高可支持 432GB HBM4 显存，这使得 AMD 有机会在原始容量上追赶甚至超越英伟达。借助 CDNA 4，AMD 还获得了架构升级，旨在充分发挥 Rubin 的推理优势。Nvidia 显然希望内存速度更快。但它越依赖 10Gb/s HBM4，就越容易受到供应商差异、良率风险和机架级功率限制的影响，而容错空间却越来越小。三星为HBM4 扫清障碍三星电子公司的最新高带宽内存获得了英伟达公司期待已久的认证，这为下一波人工智能硬件芯片供应竞争扫清了关键障碍。据知情人士周五透露，这家韩国科技巨头最近通过了英伟达对其第五代12层HBM3E产品的认证测试。此次获批是在三星完成芯片研发约18个月后，此前该公司曾多次尝试达到英伟达严苛的性能标准，但均以失败告终。这一里程碑标志着三星在半导体行业最具战略意义的竞争领域之一——高带宽内存领域——技术信誉的象征性复苏。Nvidia 的旗舰 B300 AI 加速器以及 Advanced Micro Devices Inc. (AMD) 的 MI350 都是准备部署大容量内存的系统之一。此前，三星已向 AMD 交付了 HBM3E 12 栈芯片，但作为 AI 工作负载先进内存的主要买家，英伟达 (Nvidia) 仍未与其达成协议。业内人士表示，这一突破很大程度上归功于三星芯片业务负责人兼副董事长全永铉 (Jun Young-hyun) 今年早些时候做出的决定，他重新设计了 HBM3E 的 DRAM 核心，解决了早期版本一直存在的热性能问题。消息人士称，预计向英伟达供应的12层HBM3E芯片数量相对较少，因为继SK海力士和美光科技之后，三星是第三家获得批准的供应商。一位业内高管表示：“对三星来说，供货与其说是为了收入，不如说是为了自尊。获得英伟达的认可意味着其技术重回正轨。”然而，真正的战场已经转移到下一代。高带宽内存的第六代产品HBM4预计将于明年在英伟达的下一代图形架构Vera Rubin（Blackwell AI芯片的继任者）中首次亮相。三星的目标是通过部署其最先进的 10 纳米级 DRAM (1c) 和由其代工厂生产的 4 纳米逻辑芯片来缩小与竞争对手的差距，而竞争对手采用的是 1B DRAM 和 12 纳米逻辑芯片。三星的早期性能指标令人鼓舞。Nvidia已要求供应商将 HBM4 的数据传输速度提高到每秒 10 千兆位以上，远高于当前 8 Gbps 的行业标准。据知情人士透露，三星已演示了 11Gbps 的速度，超过了 SK 海力士的 10 Gbps，而美光公司则难以满足要求。三星计划本月向 Nvidia 大量出货 HBM4 样品，旨在尽早获得认证。今年4月，这家韩国芯片制造商表示，正在洽谈向英伟达、博通和谷歌等主要AI芯片制造商供应定制的第六代HBM4芯片。三星表示，最早可能在2026年上半年开始向其客户大批量供应HBM4芯片。目前，三星在HBM竞争中落后于同城竞争对手SK海力士，未能与英伟达达成其先进内存芯片的订单。SK海力士是美国AI芯片设计公司英伟达最新HBM芯片的主要供应商。为了追赶SK海力士，三星去年与其代工竞争对手台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）合作，共同开发HBM4。分析师表示，如果下一轮HBM4芯片测试成功，三星将能够在人工智能计算核心内存领域夺回市场份额。当被问及向英伟达供应12层HBM3E芯片的情况时，三星表示，它不会确认或评论与客户的任何交易。*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。","kind":"news","is_publish_news":true,"is_publish_highlight":false,"is_publish_live":false,"is_publish_wemedia":null,"editions":null,"column":"","sentiment":"0","news_tag":"","news_rank":0,"symbols":[],"gpt_button":0,"need_auth":false,"code":"91000000","status":"200"}}}