天眼查App显示，2025-09-23，“键合结构及其形成方法”（patentName）正式进入专利的公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体器件专利涉及集成电路制造中的键合结构制备技术场景。据专利信息显示，通过仅一次半曝光处理结合单张掩膜即可形成不同深度的开口结构，显著优化工艺流程；后续在第一开口和第二开口内形成互连结构，使得晶圆...
网页链接天眼查App显示，2025-09-23，“键合结构及其形成方法”（patentName）正式进入专利的公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体器件专利涉及集成电路制造中的键合结构制备技术场景。据专利信息显示，通过仅一次半曝光处理结合单张掩膜即可形成不同深度的开口结构，显著优化工艺流程；后续在第一开口和第二开口内形成互连结构，使得晶圆...
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