公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。来源：内容编译自chosun。据韩媒chosun报道，三星电子正在考虑解散其致力于提高其10纳米级第六代（1c）DRAM良率的特别工作组（TF），该DRAM将用于下一代高带宽存储器（HBM4）。此举源于该公司决心在年内优先为英伟达量产HBM4。10nm级DRAM制程技术的发展顺序为：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（...
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