在氮化镓（GaN）功率器件正加速渗透AI数据中心和消费电子市场之际，功率半导体巨头安森美（onsemi）于10月30日宣布了一项重大技术突破，推出其全新架构的“垂直氮化镓（vGaN）”功率半导体。这一基于“GaN-on-GaN”（在GaN衬底上生长GaN）技术的新架构，彻底改变了传统GaN器件的电流传导方式，旨在为AI数据中心、电动汽车和可再生能源等高压应用，树立全新的效率与功率密度标杆。核心技术...
网页链接在氮化镓（GaN）功率器件正加速渗透AI数据中心和消费电子市场之际，功率半导体巨头安森美（onsemi）于10月30日宣布了一项重大技术突破，推出其全新架构的“垂直氮化镓（vGaN）”功率半导体。这一基于“GaN-on-GaN”（在GaN衬底上生长GaN）技术的新架构，彻底改变了传统GaN器件的电流传导方式，旨在为AI数据中心、电动汽车和可再生能源等高压应用，树立全新的效率与功率密度标杆。核心技术...
网页链接免责声明：投资有风险，本文并非投资建议，以上内容不应被视为任何金融产品的购买或出售要约、建议或邀请，作者或其他用户的任何相关讨论、评论或帖子也不应被视为此类内容。本文仅供一般参考，不考虑您的个人投资目标、财务状况或需求。TTM对信息的准确性和完整性不承担任何责任或保证，投资者应自行研究并在投资前寻求专业建议。