近期,第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛召开,会议现场揭晓“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”入选结果。“全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”、“万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术”、“基于氮化镓Micro-LED的高速、低功耗光通信芯片技术”、“8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破”、“低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术”、“8英寸...
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