Tower半导体推出全新CPO晶圆代工技术据Tower Semiconductor官方获悉,近日,Tower宣布将其成熟且已投入量产的300mm晶圆键合技术平台进行战略性扩展。该技术最初为BIS传感器开发,现成功应用于公司先进的硅光子和锗硅BiCMOS工艺平台,实现异质三维集成电路集成,并获得Cadence设计工具对全系列堆叠平台技术的全面支持。据悉,Tower凭借多年在200mm与300mm...
网页链接Tower半导体推出全新CPO晶圆代工技术据Tower Semiconductor官方获悉,近日,Tower宣布将其成熟且已投入量产的300mm晶圆键合技术平台进行战略性扩展。该技术最初为BIS传感器开发,现成功应用于公司先进的硅光子和锗硅BiCMOS工艺平台,实现异质三维集成电路集成,并获得Cadence设计工具对全系列堆叠平台技术的全面支持。据悉,Tower凭借多年在200mm与300mm...
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