在全球存储芯片市场竞争白热化的背景下，SK海力士近日抛出重磅技术规划：将在第十代（V10）NAND闪存产品中首次引入混合键合技术，以300+层堆叠架构打破行业技术路线预期，并锁定2027年初实现大规模量产。这一举措不仅标志着NAND闪存技术向更高密度、更高效率迈出关键一步，更意味着全球存储行业的技术竞争格局将迎来深度重构。技术迭代之路：从321层V9到混合键合V10的进阶作为全球第二大NAND闪存...
网页链接在全球存储芯片市场竞争白热化的背景下，SK海力士近日抛出重磅技术规划：将在第十代（V10）NAND闪存产品中首次引入混合键合技术，以300+层堆叠架构打破行业技术路线预期，并锁定2027年初实现大规模量产。这一举措不仅标志着NAND闪存技术向更高密度、更高效率迈出关键一步，更意味着全球存储行业的技术竞争格局将迎来深度重构。技术迭代之路：从321层V9到混合键合V10的进阶作为全球第二大NAND闪存...
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