随着晶体管持续微缩，先进芯片在性能不断提升的同时，也面临着供电稳定性日益严峻的挑战。尤其是在AI和科学计算场景下，芯片功耗不断攀升，电源完整性已成为制约系统性能和可靠性的关键瓶颈。在2025年IEEE国际电子器件大会（IEDM2025）上，英特尔代工研究团队公布了在片上去耦电容材料领域取得的最新进展，展示了多项有望应用于下一代先进工艺的关键技术成果。本次大会上，英特尔代工重点展示了三种面向深沟槽...
网页链接随着晶体管持续微缩，先进芯片在性能不断提升的同时，也面临着供电稳定性日益严峻的挑战。尤其是在AI和科学计算场景下，芯片功耗不断攀升，电源完整性已成为制约系统性能和可靠性的关键瓶颈。在2025年IEEE国际电子器件大会（IEDM2025）上，英特尔代工研究团队公布了在片上去耦电容材料领域取得的最新进展，展示了多项有望应用于下一代先进工艺的关键技术成果。本次大会上，英特尔代工重点展示了三种面向深沟槽...
网页链接免责声明：投资有风险，本文并非投资建议，以上内容不应被视为任何金融产品的购买或出售要约、建议或邀请，作者或其他用户的任何相关讨论、评论或帖子也不应被视为此类内容。本文仅供一般参考，不考虑您的个人投资目标、财务状况或需求。TTM对信息的准确性和完整性不承担任何责任或保证，投资者应自行研究并在投资前寻求专业建议。