金吾财讯 | 安森美半导体(ON)宣布与格芯(GFS)签署合作协议，将采用格芯先进的200毫米eMode氮化镓硅基工艺开发并制造先进氮化镓(GaN)功率产品，首款产品为650V器件。此次合作将加速安森美半导体高性能GaN器件及集成功率级产品路线图的推进，通过扩展高压产品组合满足人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防和安全领域日益增长的功率需求。
金吾财讯 | 安森美半导体(ON)宣布与格芯(GFS)签署合作协议，将采用格芯先进的200毫米eMode氮化镓硅基工艺开发并制造先进氮化镓(GaN)功率产品，首款产品为650V器件。此次合作将加速安森美半导体高性能GaN器件及集成功率级产品路线图的推进，通过扩展高压产品组合满足人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防和安全领域日益增长的功率需求。
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