金吾财讯 | 全球半导体先进材料与纯度解决方案商英特格(ENTG)与日本材料创新巨头JSR Corporation及其子公司Inpria联合宣布，双方已达成一项非独家全球专利交叉许可协议，旨在消除法律障碍，共同推进用于下一代芯片制造的极紫外(EUV)光刻技术发展。根据协议条款，双方将围绕核心的金属氧化物光刻胶(MOR)专利进行交叉授权。作为该协议的一部分，双方已正式同意终止目前在美国专利商标局(USPTO)进行的双方复审挑战程序(IPR2025-00267)。Entegris高级副总裁兼首席战略与创新官 Olivier Blachier 表示：“随着半导体行业向更小节点演进，材料创新与纯度可靠性已密不可分。此次交叉授权体现了行业生态协同创新的趋势，能够帮助晶圆制造客户更有信心、更低风险地导入下一代光刻技术。”JSR株式会社高管木村彻(Toru Kimura)同样指出，将Inpria的光刻胶创新与Entegris的纯化及材料处理能力相结合，将大幅拓宽这些尖端技术在半导体材料生态系统中的应用适用性。除了专利授权，两家公司还宣布将探索在未来光刻胶材料领域的深度合作，涵盖配方研发、前驱体合成，以及大批量生产(HVM)中的超高纯度过滤输送系统开发，以确保新型材料在晶圆厂大规模量产中的性能稳定性。值得一提的是，随着半导体微缩制程向更小节点(如2nm及以下)迈进，传统光刻胶的物理极限日益凸显，而金属氧化物光刻胶(MOR)因其卓越的分辨率和更低的线边缘粗糙度，已经被视为AI时代高数值孔径(High-NA)EUV光刻的关键核心材料。