以色列芯片制造商Tower Semiconductor当地时间7月14日宣布，将投资30亿美元加强在日本的芯片制造，其中包括来自日本政府的10亿美元拨款。声明称，第一阶段将大幅增加300毫米硅光子器件产能，预计将于2027年第四季度全面投产。该阶段包括改造原Fab 6工厂，使其具备300毫米硅光子器件产能和先进封装能力。第二阶段将与第一阶段同步启动，包括在Fab 7工厂旁新建一座300毫米光刻机制造厂。
以色列芯片制造商Tower Semiconductor当地时间7月14日宣布，将投资30亿美元加强在日本的芯片制造，其中包括来自日本政府的10亿美元拨款。声明称，第一阶段将大幅增加300毫米硅光子器件产能，预计将于2027年第四季度全面投产。该阶段包括改造原Fab 6工厂，使其具备300毫米硅光子器件产能和先进封装能力。第二阶段将与第一阶段同步启动，包括在Fab 7工厂旁新建一座300毫米光刻机制造厂。
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