英伟达Feynman直上CPO、A16 台积电加速助攻2028放量

格隆汇
08/14
据DigiTimes,Vera Rubin进入量产及爬坡期,但英伟达重大迭代已提前启动。供应链传出,NVIDIA正将研发与供应链资源,快速推向2028年下半年的Feynman世代,牵动台积电先进技术升级,全球设备材料供应链可望再迎新单荣景。 Rubin以多颗小芯片(Chiplet)与高带宽内存(HBM)整合为主,Feynman将朝3D小芯片、SoIC及共同封装光学(CPO)发展。 对台积电而言,NVIDIA缩短产品迭代周期,同步推升先进制程与封装扩产压力。供应链指出,台积电目前正加速嘉义AP7、南科AP8建置,SoIC、CoWoS-L,下世代CoPoS均提前布局,厂务、无尘室及设备进机作业持续“抢进度”。 业界指出,Feynman平台预计“直上”台积2纳米升级版的A16制程,并提高SoIC 3D堆叠技术导入,再搭配客制化HBM及CPO。NVIDIA已是台积先进制程与封装最大客户,NVIDIA产品架构快速演进,也直接牵动台积先进技术推进与扩产。供应链表示,台积SoIC可将从SoC切分出的小芯片重整,支援Chip-on-Wafer(CoW)及Wafer-on-Wafer(WoW),透过晶粒垂直堆叠,缩短讯号传输距离,提高频宽并降低延迟与功耗。 台积SoIC月产能2023年以来续增,原规划2026年建立约1万至1.5万片月产能,2026年底达2万片;受到NVIDIA、AMD等需求及Feynman量产时程推动,最新规划进一步上修,预计2027年底月产能将达5万片。

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