半导体产业研究机构SemiAnalysis发布文章指出，当3D NAND堆叠层数突破约300层后，传统以钨制作的字线逐渐面临物理与制程限制，钼可能成为高层数NAND不可避免的材料选择。分析指出，相较于钨，钼在高层数3D NAND结构中具有三项关键优势：首先，钼的电阻较低，有助于提升记忆体读写速度；其次，钼制程不需要使用氟基化学工艺；第三，钼在高深宽比结构中的填充能力较佳。 SemiAnalysis预估，钼在全球NAND总产能中的占比，将从2025年的个位数中段百分比，提升至2027年约30%。估计，光是2027年一年，NAND钼沉积设备市场规模就可能超过10亿美元。若后续DRAM与逻辑芯片也逐步采用钼相关制程，整体钼沉积设备市场到2030年可能进一步成长至每年约20亿美元。 设备供应商方面，泛林集团预期将率先受惠，东京电子则紧随其后。应用材料、阿斯麦以及北方华创则可能更多受惠于后续DRAM及逻辑芯片导入钼制程所带来的需求。