Tradingkey - 美东时间8月24日，美光（MU）股价再度跌穿900美元关口，日内跌幅高达7%，但这并不表明内存供给短缺格局有变化。

美光内存架构研究员Raghu Sreeramaneni在斯坦福大学举办的Hot Chips 2026半导体会议上指出，内存（尤其是 HBM）正成为 AI 产业链最卡脖子的环节，谁能率先突破工艺与封装极限，谁就掌握下一阶段竞争主动权。

他表示，目前矛盾在于速度错配：AI计算性能每两年增长3倍，同期HBM发展却不到2倍，差距持续拉大。

他指出短缺具结构性。最新HBM封装将2块GPU与8块HBM4集成一体，约90%面积用于存储；制造同等容量，HBM耗用晶圆约为普通DDR5的3倍，且越升级越费料，缺口越扩。

与此同时，散热亦成新瓶颈。HBM为多层结构，底层最热而冷却在最顶，冷量须穿透各层，业内已转向"先算散热、再调结构"。

此外，科技分析师Dan Ives认为，存储市场的强劲需求仍将延续，供给短缺的格局短期内难以改变。就AI革命而言，目前存储市场的需求与供给比例约为15比1。随着存储需求及价格同步上升，包括苹果在内的企业都必须支付更高的存储成本。

Ives表示：“目前是存储业者的天下，其他所有人都得付‘租金’。”他指出，存储产业未来仍会出现周期性的起伏，但这一轮多年期的产业循环仍将持续发展。当被问及企业可能过度下单或库存出现变化的可能性时，Ives称目前不必担心这些问题，目前正开始按照多头情境发展。

美光2小时K线图，来源：TradingView

美光股价自1,040美元附近回落后，已经跌破 0.382斐波那契回撤位（935.35美元），同时跌穿上升通道下沿。短线结构已经明显转弱，当前正在向下测试 0.236斐波那契回撤位（859.88美元）。

美光此前股价在0.382斐波那契回撤位（935.35美元）附近反复震荡，但本次快速跌破该位置，表明原有支撑暂时失效。

均线方面，现价已经同时跌破5日均线、10日均线、20日均线、80日均线和160日均线，五条均线目前全部位于股价上方。929.12—951.22美元构成当前较明显的均线压力密集区。

从趋势结构看，股价已经跌穿此前的上升通道下沿，意味着自737.88美元附近形成的抬高低点结构受到破坏。后续如果不能重新收复0.382斐波那契回撤位（935.35美元），本轮走势更偏向弱势调整，而不是普通回踩。

下方重点观察0.236斐波那契回撤位（859.88美元）。如果该位置能够止跌并形成反弹，股价可能在859.88—935.35美元之间进行技术性修复；如果继续跌破，则调整空间可能进一步扩大。

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