瑞银分析师们在报告中预计，中国半导体制造能力于未来10年内都可能难以取得足够快的进展，从而开发出能够真正替代阿斯麦尖端极紫外光刻(EUV)技术的方案。 瑞银指出，从专利申请活动来看，尤其是在光源和激光子系统领域，中国目前的技术成熟度大致相当于阿斯麦开始大规模生产EUV设备前15年时的水平，“他们目前所处的阶段似乎与阿斯麦在2004年时相当”。 分析师们表示，考虑到中国设备在良率和产能方面与阿斯麦可能仍存在差距，再加上监管限制，相信中国光刻设备不太可能在中国境外得到应用。不过，瑞银预计，中国有望在未来2至5年内具备浸没式深紫外(DUV)光刻机的大规模量产能力。虽然浸没式DUV不如EUV系统先进，但仍是芯片制造不可或缺的设备，利用光线将复杂精细的电路图案转印到硅晶圆上。 阿斯麦是全球唯一能够生产尖端光刻设备的企业，这类设备对于制造先进半导体至关重要，包括英伟达(Nvidia)所使用的先进芯片。中国是阿斯麦最大的市场之一，但该公司被禁止向中国出售其极紫外光刻设备。