路透首尔10月18日 - 据《首尔经济日报》周日报导，三星电子 005930.KS 将采用台积电 2330.TW 的3纳米工艺，为Nvidia(辉达/英伟达)NVDA.O 下一代定制高带宽内存（HBM）芯片生产基底裸片 。

据该报导称，此举将标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电展开合作。

• 该报援引业界消息人士的话称，Nvidia已要求三星、SK海力士 000660.KS 和美光科技 MU.O 采用台积电的工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造核心裸片。

• 据该公司称，今年8月发布的NVHBM将Nvidia的定制内存控制器集成到基底裸片中，旨在统一多家内存供应商的实施方式。

• 据《首尔经济日报》报导，三星在经过内部评估后接受了Nvidia的要求，但计划继续采用自主生产模式来生产标准HBM以及面向其他客户的定制产品。

• 该报还援引一位不愿透露姓名消息人士的话称，三星正在评估，如果需求超过台积电的产能，是否可由自身晶圆代工业务生产NVHBM基底裸片。