长鑫科技发布第三季度财报后，10月31日下午公布了一份投资者关系活动记录表，内容为业绩说明会的记录。长鑫科技在业绩说明会上回应了多个市场关切的问题。 此前长鑫科技宣布在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构上取得关键突破。该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，且一定程度摆脱了工艺瓶颈。 此次长鑫科技透露，公司下一代也就是第六代工艺技术平台将基于4F²架构，该...
网页链接长鑫科技发布第三季度财报后，10月31日下午公布了一份投资者关系活动记录表，内容为业绩说明会的记录。长鑫科技在业绩说明会上回应了多个市场关切的问题。 此前长鑫科技宣布在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构上取得关键突破。该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，且一定程度摆脱了工艺瓶颈。 此次长鑫科技透露，公司下一代也就是第六代工艺技术平台将基于4F²架构，该...
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