7月14日，Tower半導體盤前飆升逾18%，該公司今日宣佈，將並行雙軌戰略性地擴展其300毫米硅光子（SiPho）、硅鍺（SiGe）和先進封裝能力。日本在以下機構的支持下：日本政府此次擴建旨在滿足快速增長的長期客戶需求，大幅提升公司的生產能力，並鞏固其技術領先地位。
7月14日，Tower半導體盤前飆升逾18%，該公司今日宣佈，將並行雙軌戰略性地擴展其300毫米硅光子（SiPho）、硅鍺（SiGe）和先進封裝能力。日本在以下機構的支持下：日本政府此次擴建旨在滿足快速增長的長期客戶需求，大幅提升公司的生產能力，並鞏固其技術領先地位。
免責聲明：投資有風險，本文並非投資建議，以上內容不應被視為任何金融產品的購買或出售要約、建議或邀請，作者或其他用戶的任何相關討論、評論或帖子也不應被視為此類內容。本文僅供一般參考，不考慮您的個人投資目標、財務狀況或需求。TTM對信息的準確性和完整性不承擔任何責任或保證，投資者應自行研究並在投資前尋求專業建議。
