異動解讀 | 存儲芯片行業迎多重利好,Roundhill Memory ETF盤前大漲5.01%

異動解讀
05/27

追蹤存儲芯片行業的Roundhill Memory ETF(代碼:DRAM)今日盤前大漲5.01%,成為市場關注的焦點。

消息面上,多重利好因素共同推動了存儲芯片板塊的樂觀情緒。首先,隔夜美股市場中,存儲芯片巨頭美光科技(MU)股價單日暴升逾過19%,總市值首次突破1萬億美元,帶動了整個半導體板塊的強勢表現。其次,行業數據顯示,受人工智能(AI)數據中心建設熱潮的推動,2026年第一季度全球DRAM營收按月大幅增長80%,創下歷史新高,市場供需持續緊張。此外,三星電子勞資雙方達成的薪資協議以高票獲得工會通過,此前困擾市場的罷工風險暫時解除,確保了全球存儲芯片供應鏈的穩定。

與此同時,中國最大的DRAM廠商長鑫科技科創板IPO成功過會,彰顯了國產存儲芯片產業的快速發展,也為全球存儲市場增添了新的增長敘事。在AI算力需求爆發、行業周期屬性弱化以及全球龍頭公司業績超預期的背景下,存儲芯片行業正迎來結構性景氣周期,這直接提振了追蹤該行業的ETF價格。

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