鏗騰電子與三星達成多年協議,擴展其內存與接口IP至2納米制程節點

美股速遞
05/29

鏗騰電子與三星電子近日簽署了一項多年合作協議,旨在將鏗騰電子的先進內存與接口知識產權解決方案擴展至三星的2納米工藝節點。這一戰略合作將深化雙方在尖端半導體設計領域的夥伴關係。

根據協議內容,鏗騰電子將提供其經過優化的IP組合,以支持三星在2納米技術上的開發與生產。此舉預計將加速高性能計算、人工智能及移動設備等關鍵應用領域芯片的設計進程。通過整合鏗騰電子的專業IP,三星有望進一步提升其先進製程技術的競爭力,並為客戶帶來更高效、更強大的芯片解決方案。

此次合作標誌着雙方在推動半導體行業前沿創新方面邁出了重要一步,也凸顯了鏗騰電子在高速接口和高帶寬內存IP領域的技術領導地位。

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