荷蘭芯片製造設備公司 ASML（ASML）表示，公司計劃與主要客戶合作，推動其最先進的設備用於製造英偉達（NVDA）及其他公司所設計的那類大型數據中心芯片。

ASML生產的是所謂的光刻設備（lithography tools）。這類設備通過讓光線穿過一種稱為掩模（mask）的部件，將芯片的電路圖案印製到硅晶圓上。

ASML廣泛應用的極紫外光刻（EUV）設備目前可以製造面積最大約為800平方毫米的芯片，而英偉達、谷歌以及其他公司設計的芯片尺寸已經一路接近這一上限。

ASML即將推出的新一代設備被稱為「High NA」 EUV（高數值孔徑極紫外光刻）設備，能夠印製具有更精細結構的芯片。不過，由於這種設備目前使用尺寸更小的掩模，因此在能夠製造的芯片尺寸方面存在限制。

英特爾（INTC）已經在使用ASML最新一代設備製造其筆記本電腦芯片。ASML本周表示，公司計劃轉向使用更大尺寸的掩模，這將使其最新設備能夠製造尺寸與目前最大型數據中心芯片一樣大的芯片。

對於新的High NA設備而言，採用更大的掩模將有助於推動這類設備在大規模量產中的更廣泛應用。目前，英特爾已經在生產中使用High NA設備，但台積電（TSM/TW）和三星電子（005930.KS）尚未將其用於大規模量產。

另外，SK海力士（000660.KS）在一份聲明中表示，公司正在評估是否參與有關引入12英寸掩模的聯盟項目，並補充稱，其目標是在2028年將High NA EUV工藝應用於DRAM的大規模量產。

台積電本周表示，計劃從2030年開始，在先進製程的大規模量產中使用ASML的High NA技術；三星則計劃在2028年之前將High NA EUV引入DRAM存儲芯片的大規模量產。

ASML計劃在2031年展示採用更大尺寸掩模的試驗生產線，並計劃在2033年之前使這項新技術達到大規模量產所需的成熟程度。

ASML首席技術官Marco Pieters表示：

「如果我們整個行業能夠成功實現這一目標，那麼你最終會看到這些系統的生產效率提高約40%。」