Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）今日盤前股價大幅上漲5.37%，表現強勁。

消息面上，此次上漲主要受到美股存儲芯片概念股集體反彈的帶動。隔夜美股交易中，費城半導體指數大漲，存儲芯片巨頭美光科技等公司股價顯著攀升，帶動了整個存儲芯片板塊的樂觀情緒。此外，全球存儲芯片行業正經歷近15年來最嚴重的供應短缺，AI算力需求爆發驅動HBM等高性能存儲需求激增，三星、美光、SK海力士等巨頭集體提價，進一步推升了市場對存儲芯片產業鏈景氣度的預期。

行業分析指出，存儲芯片作為人工智能等關鍵領域的基礎設施，其供需緊張的格局受到廣泛關注，這推動了相關ETF資產的價格上漲。同時，以色列與伊朗暫緩交火的消息緩解了地緣政治緊張局勢，也為市場風險偏好回升提供了支撐。