英偉達(NVDA.US)供應商美光科技(MU.US)表示，持續的內存芯片短缺在過去一個季度有所加劇，並重申由於人工智能基礎設施所需的高端半導體需求激增，這種供應緊張局面將持續到今年以後。

「我們目前看到的短缺確實是史無前例的，」美光科技運營執行副總裁馬尼什·巴蒂亞在一場採訪中表示。此前，這家芯片製造商啱啱在紐約州錫拉丘茲市郊為其耗資1000億美元的生產基地舉行了動工儀式。這一表態進一步強化了該公司在12月給出的類似預測。

巴蒂亞指出，製造人工智能加速器所需的高帶寬內存(HBM)正「消耗着整個行業大量的可用產能，導致手機或個人電腦(PC)等傳統行業面臨巨大的供應短缺」。

他補充道，PC和智能手機製造商已經加入排隊序列，試圖鎖定2026年以後的內存芯片供應，而自動駕駛汽車和人形機器人將進一步推高對這些組件的需求。

上周五，中國媒體稱，由於內存成本上漲，包括小米集團、Oppo和深圳傳音控股在內的中國主要智能手機製造商正在削減2026年的出貨目標。

行業追蹤機構Counterpoint Research在12月估計，由於內存芯片短缺推高成本並擠壓生產，今年全球智能手機出貨量可能會下降2.1%。包括戴爾科技在內的PC製造商也警告稱，他們可能會受到持續短缺的影響。

得益於人工智能熱潮，全球內存芯片行業的三巨頭——美光、SK海力士和三星電子的股價在2025年均大幅飆升。SK海力士表示其2026年的全部芯片產能已售罄，而美光也表示其今年的人工智能內存半導體已被預訂一空。

人工智能提升了存儲行業三大巨頭的業績

為了優先供應包括英偉達在內的戰略企業客戶，美光在12月宣佈將終止其廣受歡迎英睿達品牌消費級內存業務。人工智能行業對內存芯片近乎「貪婪」的需求，也增加了美光在美國和亞洲擴大製造規模的緊迫感。

上周六，美光宣佈計劃出資18億美元購買中國台灣省的一處包含現有廠房的場地，台灣省是這家芯片製造商的關鍵生產樞紐。

此舉顯著縮短了美光投產新工廠的時間。公司表示，將於2027年下半年開始產出具有實質意義的DRAM晶圓。

DRAM為英偉達和英特爾的複雜處理器進行計算提供運行環境，也是人工智能加速器實現優化運行所需的高帶寬內存的核心。

巴蒂亞在採訪中表示，「我們在亞洲基地要做的是繼續向下一代技術轉型。」

他補充道，另一方面，新增的晶圓產能將幾乎完全在美國本土實現。

美光在錫拉丘茲附近耗資1000億美元的項目計劃建設四個DRAM晶圓廠，每個廠房的大小約相當於10個足球場。首批晶圓預計將於2030年下線。

這家美國芯片製造商還在博伊西現有的研發設施旁增加兩個晶圓廠的產能。愛達荷州的第一家晶圓廠計劃於2027年開始生產，第二家工廠正在規劃中。此外，公司還在現代化並擴建位於弗吉尼亞州的現有製造設施。

這些計劃都是該公司承諾將其40%的DRAM製造轉移至美國本土的一部分。這一目標的實現得益於該公司在2024年獲得的62億美元《芯片法案》撥款，以及在施工期間可以利用的目前已上調至35%的稅收抵免。