Roundhill Memory ETF（DRAM）今日夜盤大漲5.00%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，全球存儲芯片供需失衡持續加劇，據機構數據，今年DRAM供需缺口約8%、NAND約5%，緊缺態勢或延續至2027年。AI驅動的結構性需求增長是核心推力——智能體AI工作負載要求Key-Value緩存容量成比例擴展，下一代AI服務器平台大幅拉升DRAM容量需求。此外，一季度全球NAND存儲市場營收按月接近翻倍，機構普遍判斷存儲漲價趨勢將貫穿全年，海外原廠議價能力持續增強，這直接利好追蹤存儲芯片行業的ETF。

這些基本面因素共同推動了市場對存儲芯片板塊的樂觀情緒，從而帶動了Roundhill Memory ETF的價格在夜盤交易時段顯著上揚。