美光科技（MU）今日夜盤大漲5.03%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，美光科技宣佈其位於新加坡現有NAND閃存製造園區內的先進晶圓製造廠正式破土動工，計劃未來十年投資約240億美元擴大產能，預計2028年下半年投產。該工廠將成為新加坡首座雙層晶圓製造工廠，建成後將提供約70萬平方英尺的無塵室空間，有助於滿足由人工智能和數據驅動應用迅速擴張所帶動的對NAND閃存不斷增長的市場需求。

此外，美光此前宣佈的位於同一新加坡製造園區的高帶寬內存（HBM）先進封裝工廠，預計將在2027年為美光的HBM供應做出重要貢獻。隨着HBM成為美光新加坡製造版圖的一部分，該公司預計NAND和DRAM生產之間將出現協同效應的機會。這一重大投資計劃增強了市場對美光科技在內存領域長期增長潛力的信心，從而推動了股價在夜盤時段的大幅上漲。