Roundhill Memory ETF (代碼：DRAM) 今日盤前交易中出現顯著上漲，漲幅達5.07%，引起了市場關注。

消息面上，此次上漲主要受到存儲芯片行業密集利好的推動。研究機構TrendForce集邦諮詢全面上修了一季度存儲器合約價預期，其中傳統DRAM合約價的季度增幅預期從55%-60%大幅上調至90%-95%，NAND Flash合約價季度增幅預期也從33%-38%上調至55%-60%，且存在進一步上修空間。與此同時，行業高層及機構指出存儲芯片供需持續緊張，高盛預計這種緊張態勢將延續至2028年。

行業分析指出，當前DRAM市場存在約8%的供應缺口，NAND Flash市場缺口約為5%。人工智能與數據中心需求的強勁增長持續擊穿市場供需平衡，使得存儲芯片原廠的議價能力升至近年來的頂峯，整個存儲行業正步入量價齊升的強勢周期。此外，美股存儲芯片板塊盤前普遍反彈，也提振了追蹤該行業的ETF表現。