美光科技 (MU)本月成爲標普500指數中表現最佳的成分股之一，投資者正密切關注該公司將於週三發佈的第三財季業績報告。

華爾街分析師指出，維持美光股價近期漲勢的關鍵，在於投資者對其短期毛利率前景的預期。瑞穗證券交易席分析師喬丹·克萊因在本月研報中表示，投資者對美光及其他存儲芯片、硬盤驅動類股呈現"極度樂觀"情緒，其中一個原因是美光對動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片的定價更新“目前看起來都非常正面”。

克萊因強調，作爲DRAM製造龍頭，美光正受益於高帶寬內存(HBM)芯片需求的增長。這類DRAM特種芯片需求激增，源於英偉達(NVDA)Blackwell人工智能平臺的加速部署。英偉達在5月財報電話會議中透露，Blackwell平臺已成爲公司史上推廣最快的產品，隨着超大規模客戶聚焦推理模型和代理型AI，Blackwell需求持續攀升。

英偉達下一代Blackwell Ultra芯片預計於今年末或明年初面世，"HBM存儲密度將顯著提升"，克萊恩指出，這將利好美光等HBM供應商。DRAM價格改善與HBM芯片需求走強，正推動衆多投資者"搶在6月下旬財報前佈局美光，唯恐錯過其股價突破前高的機會"。

克萊恩表示，投資者將重點關注美光對短期毛利率的上修幅度。賣方投資者預計當前季度毛利率爲36.7%，8月季度將達39%。他補充道，公司需"小幅超越這兩項預期"才能支撐股價表現。

根據FactSet彙總的分析師預測，美光5月季度營收預計達89億美元，其中DRAM銷售額佔69億美元。市場同時預期其調整後每股收益爲1.60美元。

美光在上次財報中給出的第三財季營收指引爲88億美元±2億美元，調整後毛利率預期爲36.5%±1%，克萊恩指出這與賣方投資者預期基本一致。

克萊恩透露，美光正從競爭對手三星電子手中奪取更多市場份額。據報道，三星的HBM3E內存芯片未能通過英偉達認證測試，而美光則持續提升HBM芯片良率。本月初美光宣佈已開始向客戶交付HBM4芯片。

值得關注的是，美光本月還宣佈獲得《芯片與科學法案》2.75億美元直接資金支持，該法案系拜登政府推動。這筆資金將用於美國弗吉尼亞州現有芯片製造廠的擴建與現代化改造。此計劃隸屬美光2000億美元全美投資戰略，資金還將流向愛達荷州兩座及紐約州至多四座大型芯片製造基地。