Roundhill Memory ETF（代碼：DRAM）今日盤中大漲8.65%，表現強勁，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，人工智能（AI）基礎設施需求的爆發式增長，持續驅動對存儲芯片，尤其是高帶寬內存（HBM）的強勁需求。高盛、摩根大通等頂級投行發布報告指出，存儲芯片行業正經歷從強周期性大宗商品向AI基礎設施戰略資源的範式轉變，估值框架有望重估，並因此上調了包括三星、SK海力士在內的行業巨頭目標價。

此外，行業數據顯示，第一季度全球DRAM銷售額按月增長80%，按年暴增260%，創歷史新高，AI數據中心對HBM及LPDDR5的強勁需求是核心驅動力。TrendForce等機構進一步大幅上調預測，預計全年DRAM市場規模按年增幅顯著，供需缺口預計延續至2028年。同時，為確保供應，大型客戶正積極搶籤長期採購協議，這增強了市場對存儲芯片行業盈利能見度和穩定性的預期，共同推動了資金涌入相關投資標的。