高盛加入「AI瓶頸交易」:MLCC是新存儲,已成AI服務器「第三大成本項」

華爾街見聞
05/31

高盛認為,由AI驅動的多層陶瓷電容器(MLCC),將是該行業有史以來規模最大、持續時間最長的一次。

近期,高盛在多份研究報告中指出,多層陶瓷電容器已躍升為AI服務器物料清單中,繼GPU和內存之後的第三大成本項。

與此同時,村田製作所(Murata)已於4月1日起,將AI服務器相關的多層陶瓷電容器產品價格上調15%至35%,太陽誘電(Taiyo Yuden)亦宣佈於5月起對部分產品線實施提價。

高盛估算,若平均價格上漲5%,將分別帶動村田和太陽誘電2027財年營業利潤提升約13%和37%。

對市場而言,這意味着多層陶瓷電容器供應鏈,正在複製此前內存板塊的價格上行路徑。

多層陶瓷電容器MLCC,從配角到AI服務器"第三大成本項"

以英偉達最新一代Vera Rubin服務器機架為例,VR200機架的MLCC用量約合4,300美元,較GB300機架的約1,500美元大幅提升。

高盛預計,AI服務器的多層陶瓷電容器市場規模將從2025財年起至2030財年增長約4.3倍,年複合增速達約34%,市場規模從約215億日元擴張至約9,200億日元。

多層陶瓷電容器本質上是一種超小型、超快速的電荷存儲與釋放元件。

在AI服務器中,當GPU等加速芯片在微秒級時間內驟然拉升或驟降電力需求時,電源系統的響應速度遠遠不及,而緊貼芯片旁側佈置的多層陶瓷電容器,正是填補這一時間差的關鍵。

它同時承擔兩項職能:平滑電力供應中的瞬時波動,以及過濾可能損壞數字數據的電氣噪聲。

隨着AI芯片算力密度持續攀升,對多層陶瓷電容器的需求正在兩個維度上同步擴張。

一方面,GPU功耗的急劇增加要求更高的電容量,電容量與功耗之間存在正相關性。

另一方面,加速器板的物理空間有限,迫使設計向"小尺寸、高電容"的高附加值多層陶瓷電容器遷移。

此外,電源供應單元(PSU)周邊亦需大量部署高壓大容量多層陶瓷電容器。

產能天花板與價格上行,供需錯配已然形成

與內存不同,多層陶瓷電容器行業的產能擴張存在內在約束。

據高盛分析師Allen Chang指出,多層陶瓷電容器生產所需的設備和原材料均以自產為主,擴產速度受限於內部工程資源,行業年產能增速上限僅略高於10%。

這一結構性制約意味着,若AI服務器對多層陶瓷電容器需求的增速,持續遠超行業整體擴產能力,供需錯配將呈現系統性擴張特徵。

價格信號已經印證這一判斷。

日本財務省5月28日公布的4月貿易統計數據顯示,多層陶瓷電容器平均出口價格按月上漲3%,出口量按月增長7%,出口額按月增長9%。按年來看,上述三項指標分別大幅增長16%、10%和28%。

與此同時,低電容及消費類多層陶瓷電容器的現貨及分銷商價格,已因囤貨和重複下單而上漲20%至40%。

目前,高端多層陶瓷電容器(高電容、高電壓)的交貨期已超過20周。儘管OEM合同價尚未出現大幅上調,但行業整體定價壓力已顯著上行。

高盛將2026年同類產品價格變動預期,從此前的約0%上調至最高5%,並認為未來上行空間仍可能進一步擴大。

此外,高鎳、高銀等原材料價格上漲,正對全品類多層陶瓷電容器的成本端形成壓力,進一步支撐價格上行邏輯。

三強主導,技術門檻構築護城河

在AI服務器所需的多層陶瓷電容器領域,市場準入門檻極高。

高盛指出,目前具備相關技術能力的供應商僅有村田製作所、三星電機(SEMCO)和太陽誘電三家。

三者在GPU/ASIC周邊低壓高容量MLCC的小型化與高容量化方面持續推進,技術要求日趨嚴苛,具備完整的受益路徑。

日本TDK電子目前尚不具備進入該細分市場的技術,仍在等待與日本化學工業合作推進的材料開發。

但TDK電子在電源迴路周邊高壓大容量MLCC領域接單旺盛,產品技術與汽車(含電動汽車)應用高度重疊,有望帶動工廠開工率提升。高盛對TDK電子同樣維持買入評級。

中國台灣和大陸的製造商亦開始嶄露頭角。高盛將國巨(Yageo)風華高科三環集團列為新興前沿受益標的。

此外,高盛MLCC亞洲股票籃子,涵蓋日本、韓國及中國A股的核心產業鏈標的,橫跨純粹製造商、多元化被動元件生產商及上游材料供應商,近期已開始走強,但相較於其他AI熱門主題仍存在明顯的滯後補漲空間。

"我們仍處於周期早期"

高盛分析師Daiki Takayama在近期與村田製作所CEO會面後總結認為,村田"仍處於成長階段的早期"。

Peter Slater則在其5月的報告中指出,隨着AI服務器功耗需求持續攀升,對更大電容量的需求將不斷上升,多層陶瓷電容器供需有望趨於100%利用率。

值得關注的是,儘管來自AI服務器和汽車應用的需求維持強勁,智能手機和PC等傳統下游客戶也開始積極尋求長期採購合同,此舉源於對多層陶瓷電容器產能被AI服務器大量佔用。

高盛指出,此前內存DRAM和NAND的價格劇烈上漲,始於市場聚焦到內存作為AI超級周期瓶頸之時。

如今,同樣的邏輯正在多層陶瓷電容器行業上演,但與內存不同,多層陶瓷電容器的價格上行之旅幾乎才啱啱開始。

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