SK海力士憑藉在高帶寬內存（HBM）領域的技術領先地位，交出了一份遠超市場預期的一季度成績單，印證了AI硬件投資熱潮正在深刻重塑半導體行業的盈利格局。

公司一季度淨利潤達40.33萬億韓元，大幅超出分析師預期的29.39萬億韓元；運營利潤37.61萬億韓元，亦高於市場預期的35.7萬億韓元；季度銷售額錄得52.58萬億韓元。

展望二季度，公司預計DRAM出貨量按月將錄得較高的個位數百分比增幅，NAND出貨量按月增幅則將處於10%至20%區間的中部。

業績超預期的背後，是Meta、亞馬遜等超大規模雲計算廠商在AI基礎設施上數以千億美元計的持續投入。SK海力士作為英偉達芯片的關鍵配套供應商，憑藉在HBM市場的先發優勢，成為這一投資浪潮的核心受益者之一。

內存價格全線上漲，利潤率持續擴張

內存價格的強勁上行為SK海力士業績提供了有力支撐。

據市場研究機構DRAMeXchange數據，8GB DDR4 PC內存基準合約價格已連續11個月上漲，上月觸及約13美元。

一季度DRAM平均售價較上季度按月上漲60.8%，NAND平均售價按月上漲55.3%。企業級固態硬盤需求亦隨數據中心投資的擴張而大幅攀升，進一步夯實了公司的營收基礎。

SK海力士及其競爭對手三星電子、美光科技均在將更多產能向利潤率較高的HBM產品集中，這一趨勢導致傳統內存供給趨緊，價格持續走高，從而在更廣泛的層面提振了內存廠商的整體收入。

資本開支大舉提速，佈局下一代製造能力

為應對旺盛需求，SK海力士正加速擴大產能投入。

公司今年1月宣佈，2026年資本開支將較2025年的30.2萬億韓元大幅增加。上月，公司進一步宣佈計劃斥資約80億美元，向ASML採購最先進的極紫外光刻（EUV）芯片製造設備。

競爭對手三星電子同樣不甘示弱，計劃今年在芯片產能擴張與研發上投入逾110萬億韓元，創歷史新高，意在爭奪AI半導體領域的領先地位。

值得關注的是，三星已率先實現HBM4芯片的商業出貨，並在英偉達GTC大會上展示了最新一代HBM4E產品，在下一代HBM競爭中佔據先機。

股價強勢領跑，估值仍遠低於AI頭部企業

資本市場對SK海力士的AI敘事給予了積極回應。繼2025年股價翻逾三倍後，今年以來該股累計漲幅已接近90%，表現明顯領先三星電子。

然而，內存芯片股的估值倍數仍遠低於英偉達、台積電等AI芯片領域的頭部企業。

質疑者認為，這一折價有其合理性——內存行業盈利的周期性波動特徵難以忽視。

總部位於倫敦的Polar Capital全球新興市場及亞洲業務主管Jorry Noeddekaer在業績發布前表示："從某種程度上說，我們正處於內存行業的新範式之中。但'內存將永遠告別周期性'這一說法，我們並不認同。"