6月8日，Roundhill Memory ETF盤中上漲8.84%，報60.13美元/股，成交額7.18億美元。

消息面上，全球存儲芯片行業供需持續緊缺，DRAM缺口約8%、NAND缺口約5%，緊缺態勢或延續至2027年。AI算力需求爆發推動HBM等高性能存儲需求激增，HBM消耗產能達普通DRAM的2.5-3倍，進一步加劇供給緊張。三星、美光等巨頭近期集體提價，DRAM協議價上漲15%-30%以上。此外，國內存儲龍頭長鑫存儲、長江存儲加速推進上市，行業擴產周期開啓，設備全行業訂單增速有望超30%，存儲產能緊缺或成為貫穿全年的投資主線。

該ETF主要聚焦存儲領域相關上市公司，覆蓋網絡服務器及工作站所用大容量存儲產品的開發、製造及銷售環節。

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