Roundhill Memory ETF（DRAM）今日盤中大漲8.14%，引起了市場的廣泛關注。

消息面上，存儲芯片行業近期迎來多重利好。國際存儲芯片巨頭SK海力士宣佈了積極的產能擴張計劃，計劃到2034年將芯片晶圓產能提高到目前的三倍，以滿足人工智能發展帶來的旺盛需求，同時公司確認計劃年內發行美國存託憑證赴美上市。此外，全球存儲芯片行業景氣度持續高漲，一季度DRAM與NAND Flash市場規模按年大幅增長，價格持續飆升，行業估值邏輯正從「傳統周期股」向「AI基礎設施成長股」切換。這些因素共同提振了市場對整個存儲芯片板塊的信心，從而推動了追蹤該行業的ETF價格大幅上漲。

SK海力士的產能擴張和資本運作計劃，以及行業整體的高景氣度，反映了市場對AI驅動下存儲芯片長期需求的樂觀預期，這被認為是Roundhill Memory ETF盤中表現強勁的主要原因。