5月26日，Roundhill Memory ETF（DRAM）盤中上漲8.95%，報58.325美元/股，成交額4.5億美元。

消息面上，全球內存超級周期動能持續推動存儲板塊全線走強。AI數據中心消耗全球70%以上存儲產能，單台AI訓練服務器存儲需求為傳統服務器的8-10倍，HBM及企業級SSD訂單已排至2027年。供給端方面，全球內存短缺預計持續至2026年後，新產能要到2028年才能釋放，DRAM一季度合約價暴漲80%-95%，二季度再漲58%-63%。該ETF前三大持倉為美光科技（26.77%）、SK海力士（23.75%）、三星電子（18.55%），三者合計權重近70%，均在本輪超級周期中錄得超100%的年內漲幅，帶動ETF大幅走高。

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