6月8日，Roundhill Memory ETF盤前上漲5.05%，報58.60美元/股，成交額4206萬美元。

消息面上，近期多家機構密集發布存儲行業研報，高盛明確指出當前DRAM-NAND-HBM超級周期僅處於中段而非頂點，供需緊張程度將延續至2028年。數據顯示，二季度DRAM合約價按月上漲52%-63%，NAND漲幅突破70%，創近10年最大單季漲幅。全球DRAM、NAND、HBM供需缺口分別達4.9%、4.2%和5.1%，均為2011年以來最高水平。AI服務器出貨量按年增長180%，單台AI服務器DRAM用量為傳統服務器8-10倍，疊加三星、SK海力士、美光將70%以上先進產能轉向HBM及DDR5，通用型產能收縮18%，庫存處於歷史低位，供需失衡格局短期內難以逆轉。

Roundhill Memory ETF主要追蹤全球存儲芯片產業鏈相關標的，覆蓋DRAM、NAND及HBM領域核心企業。

（以上內容均基於市場公開消息，由程序或算法智能生成，僅作為股價異動提醒，不作為投資建議或交易依據。）